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2019-07-12  |  作者:admin

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衬底和外延片材料:布局4-6英寸高纯半绝缘SiC衬底和n型SiC衬底、2―4英寸GaN衬底、4-6英寸SiC外延片、4-6英寸SiC基GaN外延片、8英寸Si基GaN外延片等第三代半导体材料项目。

  支持平台构建软硬件产品标准体系和整体解决方案,联合开拓重点领域市场的推广应用。

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